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硅氧烷键-结构问题

作者:lbs来源:gb.szrl.net 日期:2013年4月28日 10:35

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 &nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp; 烷键的某些特征,对聚硅氧烷化学有很大的影响。Si-O键距离为1.64A,比共价半径之和(1.76A)短,暗示了Si-O键具有部分双键的特征。实际上,硅氧烷的碱性比醚的碱性低。然而,绕Si-O键轴旋转的势垒和SiOSi的线性化势垒都非常低。因此,聚硅氧烷链极其柔顺。同时,SiOSi角(140&deg;~180&deg;)比四面体的角宽得多,硅原子体积相对较大,其取代基在分子链中间隔原子出现。这些特征也说明亲核试剂进攻硅原子时立体位阻比较抵。硅原子对亲核进攻的倾向与其电子特征有关。<br />
 &nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;Si-O键的某些特征习惯上归于[P(O)-&gt;d(Si)]n相互作用。然而,最近的理论计算显示硅原子上d轨道对总的电子分布的贡献较小。许多使用者偏向于把这些特征看作是Si-O键强离子化特征和负的超共轭[p(O)-&gt;a*(Si-X)]n的结果,其中,X是与硅原子键合的任何原子。当X是电负性原子(如:O,F,CI)时,其相互作用特别强。像另外一些作者指出的,由于理论计算还没有提供Si-O键特征的明确信息,总的来讲(P-d)<span style="font-size: 8pt;">&prod;<span style="font-size: 12pt;">概念目前还在使用。</span></span></p>
 

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