硅氧烷键-结构问题

       烷键的某些特征，对聚硅氧烷化学有很大的影响。Si-O键距离为1.64A,比共价半径之和（1.76A)短，暗示了Si-O键具有部分双键的特征。实际上，硅氧烷的碱性比醚的碱性低。然而，绕Si-O键轴旋转的势垒和SiOSi的线性化势垒都非常低。因此，聚硅氧烷链极其柔顺。同时，SiOSi角（140°～180°）比四面体的角宽得多，硅原子体积相对较大，其取代基在分子链中间隔原子出现。这些特征也说明亲核试剂进攻硅原子时立体位阻比较抵。硅原子对亲核进攻的倾向与其电子特征有关。
      Si-O键的某些特征习惯上归于[P(O)->d(Si)]n相互作用。然而，最近的理论计算显示硅原子上d轨道对总的电子分布的贡献较小。许多使用者偏向于把这些特征看作是Si-O键强离子化特征和负的超共轭[p(O)->a*(Si-X)]n的结果，其中，X是与硅原子键合的任何原子。当X是电负性原子（如：O,F,CI)时，其相互作用特别强。像另外一些作者指出的，由于理论计算还没有提供Si-O键特征的明确信息，总的来讲（P-d)∏概念目前还在使用。